高性能ウェハ・マスク破断装置AMC

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マスクガラス、シリコン、SiC、液晶基板、サファイア基板等の試料を高い位置精度で割断するためのケガキ線を引くことができます。


AMC-8000

AMC-7800

AMC-7600


AMC-7600、AMC-7800はデモも受け付けております。


高性能ウェハ・マスク破断装置AMCシリーズは高い位置精度で試料を罫書くための装置で、SEM観察などの断面試料作製に役立ちます。罫書きにはタングステンカーバイトのローラー刃を用います。
ウェハ、マスクやTFT等の欠陥を検査する場合、欠陥箇所の断面試料を作製して高分解能SEMで観察します。断面試料の作製は、ダイヤモンドカッターなどで罫書いて割る方法が一般的です。この方法では、試料断面の位置精度が試行や作業者に依存してしまいます。他の方法として、集束イオンビーム(FIB)を使用すれば高い位置精度で断面を得ることができますが、作製に長い時間を要します。AMCシリーズを使用すれば「短時間」で「精度よく」、「簡単」に断面試料を作製することができます。

*AMCシリーズは高精度に罫書く装置です。試料の破断は行いません。
材料によっては、綺麗な断面を作製するために結晶方位を考慮する必要があります。
強化ガラスの割断は難しい場合があります。


製品の特徴


簡単操作、短時間の作業

試料の罫書きから割断までに要する時間は数分です。手順は以下の通りです。
@モニターを見ながら罫書き位置(観察対象物の両側)をティーチングします。
ASTARTするとティーチングした位置を自動でローラーが罫書きます。
B観察対象の領域は自動でスキップされます。
C罫書きによるクラックと試料に生じた内部応力を利用して破断します。
*観察対象にはローラーを接触させずに破断する為、綺麗な断面が得られます。
D電子顕微鏡のサンプルホルダー等に挿入できるように試料を切り出します。




使用方法の説明動画


圧力調整が可能

試料が曲面であっても一定圧力・一定速度で、所望の位置に罫書き線を入れることが可能です。(特許)


高い位置精度

最高±2.5 μmの位置精度で罫書くことが可能です。


主な仕様


AMC-7600 AMC-7800 AMC-8000
対象材料 マスク・液晶用TFT基板・石英ガラス等の各種ガラス材料、各種半導体ウェハ
ステージ移動距離 X =50 mm、Y =230 mm、θ=360°
けがき位置精度 ±15 μm ±2.5 μm
光 学 系 ズーム実体顕微鏡 単眼ズーム顕微鏡
画 像 系 ----------- CCD + 15インチ液晶 CCD + 20インチ液晶
照明装置 ダブルライトガイド照明 同軸落射照明
表示倍率 約15〜90倍 約25〜140倍 約75〜400倍
電   源 AC 100 V
大 き さ 445W×800D×550H 445W×535D×620H 550W×650D×570H
重   量 約53 kg 約50 kg 約78 kg